निर्दिष्टीकरणहरू

• श्रृंखला
  -
• प्याकेज
  Tube
• अंश स्थिति
  Active
• fet प्रकार
  P-Channel
• प्रविधि
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
  60 V
• वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
  5.1A (Tc)
• ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
  10V
• rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
  500mOhm @ 3.1A, 10V
• vgs(th) (अधिकतम) @ id
  4V @ 250µA
• गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
  12 nC @ 10 V
• vgs (अधिकतम)
  ±20V
• इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
  270 pF @ 25 V
• fet सुविधा
  -
• शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
  2.5W (Ta), 25W (Tc)
• सञ्चालन तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउन्ट प्रकार
  Through Hole
• आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
  TO-251AA
• प्याकेज / केस
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA