SIHG105N60EF-GE3

SIHG105N60EF-GE3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल

विवरण

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    EF
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    600 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    29A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    102mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    53 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±30V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    1804 pF @ 100 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    208W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    TO-247AC
  • प्याकेज / केस
    TO-247-3

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स्टक मा 7618
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
4.53000
लक्षित मुल्य:
कुल:4.53000