SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल

विवरण

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    TrenchFET®
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    P-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    20 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    15.4A (Ta), 25A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    1.8V, 4.5V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    1V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    93.8 nC @ 8 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±8V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    2760 pF @ 10 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    3.6W (Ta), 33W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    PowerPAK® 1212-8SH
  • प्याकेज / केस
    PowerPAK® 1212-8SH

SISH407DN-T1-GE3 एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 22338
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
0.93000
लक्षित मुल्य:
कुल:0.93000