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SQM100N04-2M7_GE3
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
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प्याकेजTape & Reel (TR)
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)40 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस100A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs2.7mOhm @ 30A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id3.5V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs145 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±20V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds7910 pF @ 25 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)157W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजTO-263 (D²Pak)
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प्याकेज / केसTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
