BT169G,126

BT169G,126

निर्माता

WeEn Semiconductors Co., Ltd

उत्पादन कोटि

thyristors - scrs

विवरण

SCR 600V 800MA TO92-3

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
  • अंश स्थिति
    Active
  • भोल्टेज बन्द अवस्था
    600 V
  • भोल्टेज - गेट ट्रिगर (vgt) (अधिकतम)
    800 mV
  • वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम)
    200 µA
  • भोल्टेज - राज्यमा (vtm) (अधिकतम)
    1.7 V
  • वर्तमान - स्थितिमा (it (av)) (अधिकतम)
    500 mA
  • वर्तमान - स्थितिमा (यह (rms)) (अधिकतम)
    800 mA
  • वर्तमान - होल्ड (ih) (अधिकतम)
    5 mA
  • वर्तमान बन्द अवस्था (अधिकतम)
    100 µA
  • वर्तमान - गैर प्रतिनिधि। सर्ज ५०, ६० हर्ट्ज (यस)
    8A, 9A
  • scr प्रकार
    Sensitive Gate
  • सञ्चालन तापमान
    -
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • प्याकेज / केस
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    TO-92-3

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स्टक मा 132883
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
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लक्षित मुल्य:
कुल:0.07581